Samsung inicia producción de memoria V-NAND de 5ta generación, hasta 40% más rápida

Samsung lleva la delantera desarrollando memoria 3D NAND (o V-NAND como ellos le llaman) con diseño tridimensional. El año pasado lo demostraron anunciando memoria V-NAND de 64-capas, lo cual permitió crear una nueva generación de SSDs con mayor capacidad, rendimiento, y a precios muy razonables.

Para este 2018, el gigante surcoreano anunció que ha iniciado la producción en masa de su memoria V-NAND de 5ta generación que es capaz de ofrecer “hasta 40% mayor velocidades transferencia que la generación previa de 64-capas.”

En cuanto a las características generales de la memoria Samsung V-NAND de 5ta generación tenemos que está fabricada con “más de 90 capas apiladas una sobre otra”, lo cual es la mayor cantidad que hay en la industria a la fecha.

A su vez, cada capa está conectada con otras mediante túneles verticales que tienen más de 85 millones de celdas CTF con tres bits cada una. También recalcan que han conseguido reducir un 20% la distancia entre cada celda memoria lo cual ayudaría a reducir los túneles verticales que conectan a cada capa.

Otra mejora que trae la memoria V-NAND de 5ta generación es soporte a la interfaz Toggle DDDR4 4.0 que entrega una velocidad de transferencia de 1.4Gbps, lo cual se traduce a una mejora de 40% comparado a la generación previa que alcanzaba 800Mbps. D

De igual manera han logrado reducir el voltaje de operación de 1.8V a 1.2V, y hasta un 30% la latencia en velocidad de escritura escritura a 500μs (microsegundos) y alrededor de 50μs el tiempo de respuesta en velocidad de lectura.

Kye Hyun Kyung, Vice Presidente ejecutivo de Producto Flash y Tecnología en Samsung Electronics:

“La quinta generación de productos de memoria V-NAND de Samsung y soluciones entregarán la más NAND más avanzada en el mercado de rápido crecimiento de memoria premium.”

“En adición a los avances líderes en la industria estamos que estamos anunciando el día de hoy, nos estamos preparando para introducir NAND QLC (Quad-level cell) y de 1-terabit (Tb) a nuestra línea de productos V-NAND que continuarán con el momento para la siguiente generación de soluciones de memoria NAND a través del mercado de memoria de todo el mundo.”

Al momento no se han especificado detalles sobre la manufactura de esta nueva memoria V-NAND de 90-capas, pero señalan que para esta generación han conseguido 30% de mejora en la productividad de manufactura. Esto debería asegurar que no habrá retrasos como ocurrió con la memoria V-NAND de 48-capas que ocasionó la cancelación de varios productos.

Disponibilidad, precio

Como generalmente ocurre en estos anuncios, Samsung todavía no ha especificado los productos que emplearán la nueva memoria V-NAND de 90-capas, pero es de esperarse que se emplee en el segmento de super-computo, servidores, el mercado consumidor y en el mercado de smartphones de clase premium.

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