Samsung inicia producción en masa de chips GDDR6 de 10nm para tarjetas de video

Últimamente, no hemos recibido información concreta sobre la siguiente generación de tarjetas de video de AMD y NVIDIA para el mercado gamer. Pero esta semana, Samsung se adelantó dando una noticia bastante interesante que podría representar una pista de lo que veremos en los próximos meses.

La noticia del surcoreano se refiere a que ha iniciado la producción en masa de los primeros chips de memoria GDDR6 para tarjetas de video de siguiente generación que tienen una capacidad 16Gb y prometen ser mucho más rápidos que los actuales chips GDDR5 y GDDR5X.

Jinman Han, Senior Vice Presidente, Planeación de Producto de Memoria & Ingeniería de Aplicación en Samsung Electronics, explica:

“Empezar con esta producción preliminar de la primera memoria GDDR6 de 16Gb de la industria, ofreceremos una línea memoria DRAM para gráficos competitiva, con el mayor rendimiento y densidad, en una manera muy oportuna.”

“Al introducir productos GDDR5 de próxima generación fortaleceremos nuestra presencia en los mercados de gaming y tarjetas de video y adaptarse a la creciente necesidad de memoria avanzada  de gráficos en sistemas automotrices y de redes.”

Aunque está claro que Samsung no será el único que tendrá chips de memoria GDDR6, sus chips destacan por estar fabricados con un proceso de manufactura a 10nm lo cual, aseguran, entrega una ganancia de 30% en la productividad de la manufactura comparado a los chips GDDR5 de 8Gb fabricados a 20nm.

Dicho de otra forma, Samsung puede producir más chips por oblea mucho más pequeños y con el doble de capacidad que la generación previa de 8Gb. Al momento no se han revelado detalles específicos de su diseño pero parece que su estructura celular ha sido mejorada.

Por otra parte, lo novedoso de estos chips GDDR6 de 16Gb es que son los primeros con capacidad de 16Gb, pueden alcanzar una velocidad de transferencia de 18Gbps por pin, y ofrecer un ancho de banda de hasta 72 GB/s. 

También se habla que con un bus de memoria de 256-bits permitirá entregar un ancho de banda de 576 GB/s, mientras que con un bus de 384-bits alcanzará hasta 864 GB/s. Esto es bastante impresionante ya que la memoria HBM2 con velocidad de 1.7 Gbps y bus de 3092-bits puede entregar un ancho de banda 652 GB/s. En otras palabras, la memoria GDDR6 será hasta 32% más rápida.

Algo también a destacar es que los chips GDDR6 de 16Gb de Samsung están fabricados con un proceso de manufactura a 10nm lo cual, aseguran, entrega una ganancia de 30% en la productividad de la manufactura comparado a los chips GDDR5 de 8Gb fabricados a 20nm.

Otra mejora significativa es su consumo de energía. En este caso se habla que operarán con 1.35V lo cual viene siendo alrededor de 13% menos que los 1.55V que requieren los chips de alto rendimiento GDDR5. De acuerdo a Samsung, esto ayudará a reducir un 35% el consumo de energía de los componentes comparado a chips GDDR5.

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