Samsung desarrolló la memoria HBM (High Bandwith Memory) como una solución revolucionaria para incrementar la velocidad y capacidad de almacenamiento en chips de memoria DRAM usando una área menor de espacio comparado a diseños tradicionales.
Como parte de su participación en GTC 2019, Samsung anunció la siguiente generación de memoria HBM2E “FlashBolt” que será capaz de ofrecer hasta 33% mayor velocidad y hasta el doble de capacidad que la generación previa (HBM 2 “Aquabolt”).
La novedad de la memoria HBM2E “Flashbolt” (o HBM de 3ra generación) radica en que será capaz de entregar velocidades de transferencia de hasta 3.2 Gbps por pin y una densidad de hasta 16Gb por die (dado).
Esto significaría que será hasta 33% más rápida que la generación previa (HBM2 “Aquabolt) y que en un sólo chip de memoria HBM2E podría tener una capacidad de 16GB y alcanzar hasta 410 GBps de velocidad de transferencia.
Jinman Han, Senior Vice Presidente de Planeación de Producto de Memoria y Equipo de Ingeniería de Aplicación en Samsung Electronics, comentó:
“El rendimiento líder en la industria de Flashbolt permitirá mejorar las soluciones de data centers de próxima generación, inteligencia artificial, machine learning y aplicaciones gráficas.”
“Continuaremos expandiendo nuestra oferta premium de memoria DRAM, y mejorando nuestro segmento de memoria de ‘alto-rendimiento, alta capacidad, y bajo consumo de energía’ para satisfacer la demanda del mercado.”
AMD el primero con HBM
Haciendo un breve repaso de historia. La primera generación de memoria HBM “Flarebolt” de Samsung fue capaz de ofrecer hasta 60% mayor ancho de banda con bus de 4096-bits que la memoria GDDR5 que se usaba en aquél entonces.
En el mercado consumidor la memoria HBM se implementó por primera vez con tarjetas de video AMD Radeon R9 Fury X en el 2015. Esto permitió alcanzar hasta 3 veces mayor rendimiento por watt que la memoria GDDR5 usando 94% menos espacio de PCB.
Para el 2017, las tarjetas de video AMD Radeon RX Vega 64/56 se convirtieron en las primeras en utilizar memoria HBM 2 “Aquabolt” (de segunda generación), la cual incrementó la capacidad a 8GB de memoria y 20% el ancho de banda alcanzando los 307.2 GB/s.
Al día de hoy, la más reciente implementación de AMD fue con la tarjeta de video Radeon VII, la primera con GPU de 7nm, que saca provechó de la memoria HBM 2 para entregar el doble de memoria y 2.1x mayor ancho de banda que se traduce en 1TB/s.
NVIDIA toma otra dirección
NVIDIA no se ha quedado atrás en adopción de memoria HBM. Sin embargo, su dirección ha sido completamente diferente a la AMD ya que su única a la fecha con memoria HBM 2 ha sido en el segmento enterprise con el acelerador Tesla V100 “Volta” que se lanzó en el 2017.
Tomando en cuenta lo anterior y que NVIDIA decidió quedarse con una solución más tradicional usando memoria GDDR6 en lugar de memoria HBM 2 para su nueva generación de tarjetas GeForce RTX 20 y GeForce GTX 16, podría argumentarse que NVIDIA no ha visto la necesidad de dar el salto.
Pero por otra parte, considerando que AMD ha sido el único con productos de clase consumidor basados en memoria HBM a cuatro años de lanzarse, es posible que el verdadero problema no es la demanda sino que ha habido problemas de producción o que sigue siendo muy costoso de fabricar.
Definitivamente va a ser muy interesante si NVIDIA finalmente dará el salto a memoria HBM con tarjetas de video GeForce de próxima generación o si AMD se quedará con éste tipo de memoria para su próxima arquitectura de GPU “Navi” o no.
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