Intel confirma en roadmap hasta 2025 que renombrará los nodos o proceso de manufactura de sus próximas generaciónes de procesadores
Intel es considerado como uno de los gigantes de semiconductores en todo el mundo, pero en los últimos años se ha cuestionado su liderazgo por los problemas y múltiples retrasos que tuvieron para hacer la transición del nodo de 14nm al nodo de 10nm y seguir el paso de su competencia como TSMC y Samsung.
Para recuperar esta confianza y competitividad se han tenido que hacer cambios importantes en la compañía, empezando con el nombramiento a principios del 2021 de Pat Gelsinger como nuevo CEO de Intel. Lo segundo en la agenda ha sido poner orden en la casa y definir qué productos se lanzarán en las próximas generaciones.
Esto justamente fue lo que Intel reveló hace unas horas en la conferencia virtual Intel Accelerated donde presentaron oficialmente el roadmap que seguirán hasta el 2025 y en el futuro. Con ello también se confirmó que Intel dejará de usar los nanómetros y renombrará el nombre de los procesos de manufactura para facilitar la identificación de cada nodo y con el resto de procesos de la industria.
Pat Gelsinger, CEO de Intel comentó durante el evento:
“Basándonos en el liderazgo incuestionable de Intel en empaquetado avanzado, estamos acelerando nuestra ruta de innovación para asegurarnos que para el 2025 vayamos por un camino claro hacia el liderazgo en el rendimiento de procesos”,
“Aprovechamos nuestra incomparable línea de innovación para ofrecer avances tecnológicos desde el transistor hasta el nivel del sistema. Hasta que se agote la tabla periódica, seremos implacables en nuestra búsqueda para cumplir con la Ley de Moore y nuestro camino para innovar con la magia del silicio”.
¿Por qué los nanómetros no son lo más importante?
Tradicionalmente, el término de los nanómetros se ha usado en la industria de semiconductores para referirse al tamaño de los transistores y (en marketing) para explicarle de forma más sencilla a las masas qué tanto se ha avanzado en el desarrollo de nuevos procesos de fabricación (o nodo) más pequeños.
Aunque de esta manera ha sido más fácil entender que un procesador de 7nm sería mejor que uno de 10nm o de 14nm, la realidad es que el tamaño de los transistores (o nanómetros) no es una forma correcta para decir qué arquitectura o proceso de manufactura es más eficiente o avanzada comparado a otra.
La razón principal de que los nanómetros no dicen toda la historia en el desarrollo de nuevas arquitecturas, se debe a que la medición en una sola dimensión ha quedado irrelevante desde que hace unos años se hizo la transición de transistores de diseño planar 2D a diseño tridimensional 3D o FinFET (como le dice Intel).
Aquí surge otro problema. Como Intel utilizó por cinco generaciones de procesadores el nodo 14nm, variantes (14nm+, 14nm++, 14nm+++, etc) y se tardó más tiempo en entregar el nodo de 10nm, el resto de la industria continúo avanzando con nuevos procesos de manufactura llegando a los 7nm mucho antes.
Esto dio como resultado que hubiera un desfase entre las nomenclaturas que usa Intel y que fuera más evidente su rezago tecnológico comparado a otros gigantes de semiconductores como TSMC y Samsung. O al menos eso creímos todos.
El roadmap hasta 2025 de Intel tiene nuevos nombres para los nodos
Para solucionar el desfase que sufren las nomenclaturas de Intel en sus procesos de manufactura (o nodos) y mostrar que su tecnología está a la par de su competencia, la compañía reveló un nuevo roadmap hasta el 2025 donde muestran que usarán otros nombres que realmente reflejen los avances en tecnología que están haciendo hoy en día en semiconductores.
Nodo Intel 7 (Anteriormente 10nm Enhanced SuperFin)
El primer cambio que habrá en el roadmap de 2025 es para el proceso (o nodo) 10nm Enhanced SuperFin que actualmente está en producción en volumen y será usado con los procesadores Intel Alder Lake y Sapphire Rapids. Básicamente, se trataría del nodo 10nm+ o versión mejorada del nodo 10nm que usan los procesadores Intel Tiger Lake Core de 11a Generación.
Con la nueva nomenclatura, el nodo 10nm Enhanced SuperFin será llamado “Intel 7”, donde el primer cambio importante será que ya no contará con el subfijo “nm” para referirse al tamaño de los transistores. En su lugar, el nombre “Intel 7” está basado en las ganancias de rendimiento de 10 – 15%, ganancias en consumo de energía y avances tecnológicos.
Nodo Intel 4 (Anteriormente 7nm Enhanced SuperFin)
Continuando con la misma nomeclatura numérica para los procesos de manufactura, el nodo anteriormente conocido como 7nm, que fue retrasado hasta el 2023, ahora será conocido como nodo Intel 4 y se lanzaría en la segunda mitad del 2022.
El nodo Intel 4 es uno de los más esperados ya que promete una ganancia de rendimiento de hasta 20% comparado a Intel 7 y será usado en la próxima generación de productos Ponte Vecchio, Meteor Lake para procesadores Cliente y Granite Rapids para datacenters.
Estas son algunas de sus mejoras más significatias:
- 2x veces mayor densidad vs Intel 7
- Optimizaciones intra-node
- 4x veces mayor reducción en reglas de diseño
- EUV
- Empaquetado Foveros Next-Gen & EMIB
Nodo Intel 3
Viendo un poco más a futuro, el Intel 3 haría su debut en algún punto de la segunda mitad del 2023. Este nodo es promete ser una optimización (o una versipon + como antes lo conocíamos) del nodo Intel 4 el cual promete una mejora de 18% en consumo de energía, contará con bibliotecas HP más densas, uso mejorado de litografía EUV.
Si todo sale como está planeado, el nodo Intel 3 sería usado en procesadores Intel Meteor Lake (Lunar Lake) and Granite Ridge (Diamond Rapids).
Nodo Intel 20A: El inicio de la Era Angstrom
Para evitar usar números negativos en sus próximos procesos de manufactura, por allá de la segunda mitad de 2024, será turno del nodo Intel 20A que marcará el inicio de la Era Angstrom donde 10⁻¹⁰ m or 1A = 0.1nm. En términos más mortales, el nodo Intel 20A es la forma “elegante” de decir que llegamos a la época de los procesadores de 2nm.
Con el nodo Intel 20A (o de 2nm), la compañía esprea realizar innovaciones sin precedente como utilizar transistores RibbonFET que reemplazarán a los actuales FinFET y nuevos métodos de interconexión como PowerVia.
Intel tambioén detalló que que también expandirá su tecnología Forveros con Omni y Direct. Forveros Omni será usado en productos que utilicen unidades de alto rendimiento mientras que Forveros Direct permitirá interconectar resistencias multi-capa usando cobre a cobre.
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[…] tuvo problemas para hacer la transición del nodo de 14nm a 10nm. Esta situación ocasionó que sufriera retrasos y que no fuera capaz de competir contra otras compañías de semiconductores que si lograban lanzar procesadores con nodos más […]