La memoria 3D NAND BiCS6 de 6ta Generación de Western Digital y Kioxia tiene 162 capas y ofrece 66% mayor rendimiento I/O
Western Digital y Kioxia (antes Toshiba Memory) suman dos décadas de colaboración desarrollando memoria flash para toda clase de aplicaciones desde cómputo personal hasta data centers, redes 5, IA y sistemas autonomos.
Este año, la estrecha colaboración entre Western Digital y Kioxia alcanza otro logro importante con el anuncio de la memoria (BICS6) 3D NAND de 6ta generación con la novedad de que cada chip tiene 162-capas.
Western Digital reducen espacio y costos con 3D NAND de 6ta Generación
La nueva memoria (BICS6) 3D NAND de 6ta generación de Western Digital y Kioxia es un salto importante comparado a la memoria BICS5 de generación previa ya que reduce el tamaño del die y reduce los costos de fabricación.
Una de las mayores mejoras de la memoria BICS6 de 6ta generación es una nueva estrcutura que aumenta de 8 a 10 el arreglo de orificios de memoria, con lo cual se ha logrado hasta 10% mayor densidad de arreglo de celdas comparado a la memoria de 5ta generación.
Otro novedad de los nuevos chips 3D NAND es que se aumentó de 112 a 162 capas apiladas verticalmente, lo cual resultó en una reducción de 40% en el tamaño del die y una reducción de costos por bit al igual que un incremento de 70% en los bits por oblea.
Masaki Momodomi, Chief Technology Officer, Kioxia, comentó:
“A través de nuetras estrecha colaboración que ha durado dos décadas, Kioxia y Western Digital ha exitósamente creado capacidades sin rival en la manufactura e Investigación y Desarrollo.”
“Juntos, producimos más del 30% de los bits de memoria flash del mundo y son firmes en nuestra misión de entregar capacidad excepcional, rendimiento y confiabilidad a un precio competitivo. Cada uno entregamos este valor a través de toda la gama de aplicaciones centradas en datos desde electrónicos personales hasta data centers al igual que en aplicaciones emergentes como redes 5G, inteligencia artificial y sistemas autonomos.”
Nueva arquitecura de escalamiento de memoria 3D NAND
En materia de rendimiento, Western Digital y Kioxia anunciaron que su nueva memoria 3D NAND de 6ta generación cuenta con un Circuit Under Array CMOS y una operación de cuatro planos, lo cual resulta en 2.4x veces mayor rendimiento de programación y 10% mayor mejora en latencia de lectura comparado a la generación previa.
El rendimiento I/O (Entrada/Salida) también se ha beneficiado con una mejora de 66%, permitiendo que la interfaz de próxima generación sea capaz de soportar la necesidad en aumento de velocidades de transferencia.
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